GGD開(kāi)關(guān)柜發(fā)生局部放電時(shí)，放電量往往先聚集在接地屏蔽的內(nèi)表面，屏蔽連續(xù)時(shí)在設(shè)備外部無(wú)法檢測(cè)到放電信號(hào)，但屏蔽層通常在絕緣部位、墊圈連接、電纜絕緣終端等部外不連續(xù)，局部放電的高頻信號(hào)會(huì)由此傳輸?shù)皆O(shè)備屏蔽外殼。因此，局部放電產(chǎn)生的電磁波通過(guò)金屬箱體的接縫處或氣體絕緣開(kāi)關(guān)的襯墊傳出，并沿著設(shè)備金屬箱體外表面繼續(xù)傳播，同時(shí)對(duì)地產(chǎn)生一定的暫態(tài)電壓脈沖信號(hào)，該現(xiàn)象由科學(xué)家在1974年首先發(fā)現(xiàn)，并將其命名為暫態(tài)對(duì)地電壓。 現(xiàn)在對(duì)于GGD開(kāi)關(guān)柜的局部放電檢測(cè)方法常以脈沖電流法的視在放電量來(lái)表征局部放電活動(dòng)的嚴(yán)重程度，但對(duì)TEV法來(lái)說(shuō)，由于影響局部放電測(cè)量以及放電量表征的因素較多，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在該方法中測(cè)試結(jié)果采用相對(duì)讀數(shù)來(lái)表示。在局部放電過(guò)程中，局部放電信號(hào)在設(shè)備的金屬封閉殼體上產(chǎn)生一個(gè)瞬時(shí)對(duì)地電壓，可通過(guò)電容耦合傳感器對(duì)其進(jìn)行測(cè)量，得出局部放電的幅值和放電脈沖頻率等參數(shù)。電磁波以一定速度傳播，在不考慮電磁波折反射的情況下，電磁波到達(dá)置于不同位置探頭的距離會(huì)不同，TEV測(cè)試儀出現(xiàn)出發(fā)時(shí)間差；此外，電磁波信號(hào)在傳播過(guò)程中會(huì)隨距離出現(xiàn)不同的衰減特性，基于此原理可以實(shí)現(xiàn)GGD開(kāi)關(guān)柜設(shè)備內(nèi)部放電源定位。 通過(guò)以上的分析可知，TEV法是一種檢測(cè)靈敏度較高而方便有效的在線測(cè)量方法，除了對(duì)放電程度進(jìn)行檢測(cè)外，也能夠在缺陷類型判斷上發(fā)揮作用。由于GGD開(kāi)關(guān)柜放電特征還與很多因素有關(guān)，如缺陷的大小形狀、位置、作用的電壓類型和大小，所以未來(lái)對(duì)所提取的TEV特征應(yīng)從統(tǒng)計(jì)角度做綜合分析，并結(jié)合提取的TEV單脈沖時(shí)域和頻域特征建立模式識(shí)別數(shù)據(jù)庫(kù)，運(yùn)用現(xiàn)代分析手段以實(shí)現(xiàn)模式識(shí)別，從而能夠使用TEV技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)GGD開(kāi)關(guān)柜局部放電檢測(cè)的深度應(yīng)用。（zc）
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